产品别名 |
地坪抛光液 |
面向地区 |
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这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。
氧化铈抛光液，氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液，是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。
抛光剂抛光的金刚石抛光微粉作研磨粉，再配上特的研磨介质。金刚石悬浮与化学作用一体，使金刚石微粉处于均匀悬浮状。抛光介质使用更充分，喷涂更均匀。广泛用于各种金属、陶瓷、光学玻璃、精密仪器，宝石及仪表等材料的表面高光洁度的研磨及抛光。
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